Substratul ceramic din nitru de siliciu se mândrește cu numeroase avantaje, precum rezistență ridicată, tenacitate ridicată și conductivitate termică excepțională (130W/(m-k)). Mai mult, coeficientul său termic de expansiune se apropie de cel al semiconductorilor Si, SiC și GaN. Prin urmare, substratul ceramic din nitruură de siliciu este o alegere ideală pentru ambalarea modulelor de mare putere, fiind considerat pe scară largă cea mai potrivită opțiune de substrat ceramic.
Compania noastră utilizează procesul de nitridare directă pentru a produce pulbere de siliciu de înaltă puritate. Prin tehnologia noastră unică brevetată, controlăm materialul de siliciu, procesul de nitrurare și procesul de rafinare pentru a pregăti pulbere de nitrură de siliciu CF-HJ cu puritate ridicată, conținut ridicat de fază, o distribuție îngustă a dimensiunii particulelor și o activitate excepțională de sinterizare. Acest tip de pulbere de nitruură de siliciu a eliminat efectiv monopolurile străine și poate servi ca un substitut complet viabil pentru pulberea de nitrură de siliciu importată de același nivel de calitate.
|
Item de test |
Unitate |
Interval de indici |
Echipament sau metodă de testare |
|
Faza α |
% |
≥90 |
Difractometru cu raze X JC/T 2342-2015 |
|
Fe |
ppm |
≤200 |
Metoda de absorbție atomică ISO10058-3:2008 |
|
Al |
ppm |
≤200 |
|
|
Ca |
ppm |
≤200 |
|
|
N |
% |
≥38.5 |
Aparat cu azot Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
|
Frss Si |
% |
<0.2 |
Methpd volumetric de gaz GB/T 16555-2017 |
|
C |
% |
≤0.10 |
Analizor de carbon infraroșu cu frecvență mare GB/T 16555-2017 |
|
D50 |
μm |
≤0,9 |
Analizor laser de dimensiunea particulelor GB/T19077-2016 |
|
O |
% |
≤1.4 |
Metoda conductivității termice în infraroșu cu impulsuri de gaz inert GB/T 16555-2017 |
